理想半导体的SuperQ™技术如今已完全生产，其第一个产品是150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也进入了样品输送阶段。在过去的25年中，SuperQ一直是基于硅的MOSFET设计领域的首次成功，实现了电力设备的未知性能和效率。该体系结构在传导和转移中摧毁了硅材料的物理瓶颈，与竞争产品相比，N型导电区域最多将N型导电区扩大到95％，并将损失的转移最高2.1倍。这种结构不仅可以提高设备的电阻和损失，而且仍然是硅材料的许多好处，包括高强度，强大的质量制造能力和175°C连接温度下的摩aa。第一个150V MOSFET MOSFET产品IS15M7R1S1C是一种常见设备，具有6.4mΩ的耐药性，现在可在5 x 6 mm P中使用DFN软件包。表面套件是使用裸露的引脚设计的，以方便客户组装并提高板级别的可靠性。 200V家族产品系列包括IS20M6R1S1T，这是一种典型的MOSFET，具有11.5 x 9.7毫米收费套件，具有抗性6.1mΩ。它的RDS（ON）比目前的行业领导者低10％，比第二级竞争产品低36％。该公司目前还提供了200V示例，包括TOLL，TO-220，D2PAK-7L和PDFN等包装表格。 250V，300V和400V MOSFET平台即将启动 - 当前主要的半导体技术仍在使用这些电压水平。新一代的理想设备将提供与现有解决方案相比，释放新效率和潜在性能的抗性。马克（Markchite骨已被瓶颈。为了提高电力传输和效率，应将新的建筑师介绍给SuperQ任务。”“从来没有非常需要高性能动力解决方案。 SUPERQ将导致开发主要的新兴应用程序，包括工业自动化，AI数据中心和全球电气化趋势。如今，理想是BoredDesign工程师，其前所未有的150V至400V成本×性能比率平台。 “该技术可以应用于MOSFET，IGBT，二极管，电源IC，甚至将来的半导体材料，使SuperQ成为下一代电气电子产品的主要平台。在美国，硅是在美国开发，设计和制造的，并提供了广泛的标准行业，包括220，IT-220，IT-220，TO2-22，D2，D2，D2，D2，包括众多标准行业，超级结式编辑器（也称为Resurf）的DPA，TOLL，TOLL和PDFN 5X6等是第一个fiLED于1978年，相关专利于1984年申请，第一个商业设备于1998年发布。