TSMC和三星在晶圆铸造田中竞争，两家主要制造商随后在美国建立了工厂。根据ZDNET韩国的说法，三星可能比TSMC更早在美国推出2NM流程，预期的时间是明年的第一季度，以增强其对美国芯片市场的影响。但是，该报告还要求三星的高级过程的收获相对较低，但仍不确定泰勒工厂是否可以达到芯片制造阶段。本文引用了地址：三星的报告指出，在美国启动了第一个少见的2NM流程，以增强其竞争力。据报道，该公司开始为泰勒工厂的生产线做准备。尽管在美国进行2NM流程仍在Pplanning中，但三星对大型技术公司对Buyi表现出强烈兴趣的考虑很乐观来自美国的芯片。三星的美国工厂雄心勃勃。据知识，三星可能会在明年1月或2月初开始进行2NM过程。该公司目前将研发资源变成泰勒工厂。尽管在美国的三星业务不成功，但它决定取得成功，但该报告还要求对泰勒工厂是否可以在将来制作筹码的阶段仍然没有确定的确定性。三星首先计划在美国进行4NM流程。三星从拜登政府的“筹码法”获得了资金后，增加了投资，但没有实现大规模制造。将市场从其注意力转移到TSMC亚利桑那工厂，三星希望成为第一个在美国推出“强大绩效” 2NM流程的“强大绩效”。三星的晶圆铸造局将在下半年推出最新的SF2技术，G第三代GAA过程。与SF3相比，SF2性能为12％，能源效率为25％，并且芯片面积略微降低了5％。据报道，三星SF2进入了测试，产量为40％，高于原始预期，但是如果三星可以实现足够的质量生产的高收益率，则仍然可见。三星之前是其他竞争对手，是第一个在Gate Technology（GAA）周围制作大规模制作3纳米工艺的人，但产量不佳。外界认为，宣传的影响比现实更大，三星克服TSMC并不容易。